Стимулированное поляритон-поляритонное рассеяние и динамическая бозе-эйнштейновская конденсация поляритонов в GaAs микрорезонаторах при возбуждении в области экситонного резонанса
А. А. Деменев, С. С. Гаврилов, В. Д. Кулаковский
Институт физики твердого тела РАН, 142432 Черноголовка, Россия
Abstract
В планарных GaAs микрорезонаторах исследована динамика
формирования макрозаполненной поляритонной моды на дне поляритонной
зоны ELP(k=0) и ее спиновой поляризации при квазирезонансном
импульсном фотовозбуждении экситонов (E = EX) в области больших
квазиимпульсов. Найдено, что с увеличением глубины поляритонной зоны
EX -ELP(k=0) происходит смена механизма формирования
конденсатного состояния в k=0 с прямого параметрического распада
фотовозбуждаемой моды (за счет поляритон-поляритонного
взаимодействия) на динамическую конденсацию поляритонов, которая
происходит вследствие многочисленных рассеяний поляритонов как на
фононах, так и на поляритонах. При этом в микрорезонаторах с EX -ELP(k=0)>3.5 мэВ прямой распад фотовозбуждаемой моды не исчезает,
становясь эффективным механизмом заполнения состояний на кольце
k-пространства с энергией мэВ.