Свертка ветвей акустических фононов в направлении, перпендикулярном нанофасеткам, в сверхрешетках GaAs/AlAs (311)А
В. А. Володин, А. С. Кожухов, А. В. Латышев, Д. В. Щеглов
Институт физики полупроводников СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия
Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия
Abstract
Сверхрешетки GaAs/AlAs, выращенные на нанофасетированной поверхности
(311)А, исследованы с применением методов атомно-силовой микроскопии и
спектроскопии комбинационного рассеяния света. При обратном рассеянии света в
направлении, перпендикулярном нанофасеткам, обнаружены пики, соответствующие
свернутым акустическим фононам. Период, оцененный из положения пиков, составил
1.6 нм, что соответствует половине расстояния между нанофасетками.