Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
   Volumes 113-120
   Volumes 93-112
      Volume 112
      Volume 111
      Volume 110
      Volume 109
      Volume 108
      Volume 107
      Volume 106
      Volume 105
      Volume 104
      Volume 103
      Volume 102
      Volume 101
      Volume 100
      Volume 99
      Volume 98
      Volume 97
      Volume 96
      Volume 95
      Volume 94
      Volume 93
Search
VOLUME 95 (2012) | ISSUE 3 | PAGE 164
Эффект замедления рекомбинации неравновесных носителей заряда в полупроводнике в магнитном поле
Abstract
В работе предсказан эффект замедления рекомбинации электронов и дырок в полупроводнике в однородном магнитном поле. На примере германия показано, что в области температур T=(1-10) К, концентраций зарядов ne=(1010 -1014) см и значений индукции магнитного поля B=(3•102-3•104) Гс время рекомбинации может быть увеличено более чем в сто раз по сравнению с его значением в отсутствие магнитного поля. Это означает, что после создания неравновесных носителей заряда путем инжекции при p-n-переходе или за счет каких-либо источников излучения, а также облучения быстрыми электронами проводимость в полупроводнике сохраняется значительно дольше при наличии магнитного поля. Найденный эффект может быть использован, например, для обнаружения источников излучения.