Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
   Volumes 113-120
   Volumes 93-112
      Volume 112
      Volume 111
      Volume 110
      Volume 109
      Volume 108
      Volume 107
      Volume 106
      Volume 105
      Volume 104
      Volume 103
      Volume 102
      Volume 101
      Volume 100
      Volume 99
      Volume 98
      Volume 97
      Volume 96
      Volume 95
      Volume 94
      Volume 93
Search
VOLUME 95 (2012) | ISSUE 4 | PAGE 216
Механизм антигистерезисного поведения сопротивления графена на подложке сегнетоэлектрика Pb(ZrxTi1-x)O3
Abstract
Предложена численная модель для объяснения антигистерезисного поведения сопротивления графена на подложке сегнетоэлектрика Pb(ZrxTi1-x)O3 с изменением напряжения на затворе. Модель учитывает экранирование электрического поля в подложке электронами, захваченными на состояния, связанные с интерфейсом графен-сегнетоэлектрик, и описывает полученные ранее экспериментальные зависимости. Сделанные оценки могут быть важны при создании элементов энергонезависимой памяти нового поколения, использующих возникающие в эффекте антигистерезиса два стабильных значения сопротивления, одному из которых соотносят логический 0, а другому - 1.