Неупругое рассеяние света двумерной электронной системой с рашбовским спин-орбитальным взаимодействием
Р. З. Витлина+, Л. И. Магарилл+*, А. В. Чаплик+*
+Институт физики полупроводников им. Ржанова СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия
*Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия
Abstract
Теоретически исследовано неупругое рассеяние света электронами
двумерной системы с учетом рашбовского спин-орбитального
взаимодействия (СОВ) в зоне проводимости. Рассматривался случай
резонансного рассеяния: частота падающего (и рассеянного) света
близка к эффективному расстоянию между зоной проводимости и
спин-отщепленной зоной полупроводника типа AIIIBV.
Показано, что в отличие от случая отсутствия СОВ в спектре
рассеяния света имеется плазмонный пик даже при строго
перпендикулярных векторах поляризации падающего и рассеянного
света. В определенной геометрии в спектре можно наблюдать
особенности, обусловленные только одночастичными переходами.
Кроме того, показано, что в общем случае эллиптически
поляризованного падающего и рассеянного света амплитуда
плазмонного пика оказывается чувствительной к знаку эффективной
константы рашбовского СОВ и знакам фаз векторов поляризации.
Этот факт может быть использован для определения знака константы
Рашба.