Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
   Volumes 113-120
   Volumes 93-112
      Volume 112
      Volume 111
      Volume 110
      Volume 109
      Volume 108
      Volume 107
      Volume 106
      Volume 105
      Volume 104
      Volume 103
      Volume 102
      Volume 101
      Volume 100
      Volume 99
      Volume 98
      Volume 97
      Volume 96
      Volume 95
      Volume 94
      Volume 93
Search
VOLUME 95 (2012) | ISSUE 5 | PAGE 283
Природа контраста в слоях Ge/Si(111) в сканирующей туннельной микроскопии в присутствии сурфактантов Bi и Sb
Abstract
Известно, что использование сурфактанта Bi (в отличие от Sb) при росте слоев Ge на Si(111) увеличивает контраст между атомами Ge и Si в сканирующей туннельной микроскопии. Это позволяет различать поверхности Ge и Si. Мы исследовали этот эффект с помощью компьютерного моделирования на основе теории функционала плотности. С целью объяснения наблюдаемой разности высот слоев Ge и Si были рассмотрены как структурные, так и электронные эффекты. Для каждой из поверхностей были рассчитаны локальная плотность электронных состояний и относящаяся к ней длина затухания в вакуум. Проведено сравнение результатов моделирования с экспериментальными данными, полученными ранее с помощью сканирующей туннельной спектроскопии.