Атомная структура поверхностного слоя 1T-TiSe2 по данным фото- и оже-электронной голографии
И. И. Огородников+×, А. С. Ворох+×, А. Н. Титов+*, М. В. Кузнецов+×
+Институт химии твердого тела УрО РАН, 620990 Екатеринбург, Россия
×Уральский федеральный университет им. Ельцина, 620002 Екатеринбург, Россия
*Институт физики металлов УрО РАН, 620041 Екатеринбург, Россия
Abstract
Проведена 3D-реконструкция атомной структуры поверхности
(100) кристалла слоистого дихалькогенида 1T-TiSe2 по данным
рентгеновской фото- и оже-электронной дифракции. Дифракционные картины
эмиссии оже-электронов Se(LMM)-селена и фотоэлектронов
Ti2p-титана рассмотрены в качестве голографических диаграмм.
Обработанные с помощью алгоритма SPEA (Scattering Pattern Extraction
Algorithm with Method Entropy Maximum), они дают индивидуальные трехмерные
изображения ближайшего окружения атомов селена и титана в решетке TiSe2. На
основе реконструированных 3D-изображений определены позиции 128 атомов
в области 2×2×1.5 нм3 поверхностного слоя TiSe2.
Структура поверхности имеет политип 1T. Межатомные расстояния в слое и
ванн-дер-ваальсова щель увеличены по сравнению с аналогичными параметрами
объема кристалла. Предполагается, что слои титана в двух верхних поверхностных
структурных блоках Se-Ti-Se претерпевают смещение по оси [001].
Структура поверхностного слоя может быть описана элементарной ячейкой
пространственной группы
P3 и параметрами a=3.85 Å и c=14.4 Å.