Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
   Volumes 113-120
   Volumes 93-112
      Volume 112
      Volume 111
      Volume 110
      Volume 109
      Volume 108
      Volume 107
      Volume 106
      Volume 105
      Volume 104
      Volume 103
      Volume 102
      Volume 101
      Volume 100
      Volume 99
      Volume 98
      Volume 97
      Volume 96
      Volume 95
      Volume 94
      Volume 93
Search
VOLUME 95 (2012) | ISSUE 8 | PAGE 467
Транспортное время релаксации и квантовое время жизни в селективно-легированных гетероструктурах GaAs/AlAs
Abstract
Исследованы низкотемпературные зависимости транспортного времени релаксации (τtr) и квантового времени жизни (τq) от концентрации двумерного электронного газа (ne) в квантовых ямах GaAs с боковыми сверхрешеточными барьерами AlAs/GaAs. Обнаружено экспоненциальное возрастание квантового времени жизни с увеличением электронной концентрации. Показано, что резкое увеличение квантового времени жизни коррелирует с появлением Х-электронов в боковых сверхрешеточных барьерах AlAs/GaAs. Установлено, что в исследуемых структурах отношение транспортного времени релаксации к квантовому времени жизни зависит от концентрации немонотонно: вначале с ростом ne отношение τtr / τq линейно увеличивается, а затем падает. Обнаруженное поведение не описывается существующими теориями.