Инвертированный яблоновит, изготовленный методом лазерной нанолитографии, и его фотонная структура
И. И. Шишкин+*, К. Б. Самусев+*, М. В. Рыбин+*, М. Ф. Лимонов+*, Ю. С. Кившарь+°, А. Гайдукевийчуте×, Р. В. Киян×, Б. Н. Чичков×
+Национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики,
197101 С.-Петербург, Россия
*Физико-технический институт им. Иоффе РАН,
194021 С.-Петербург, Россия
°Nonlinear Physics Center, Australian National University, ACT 0200 Canberra, Australia
×Laser Zentrum Hannover e.V., D-30419 Hannover, Germany
Abstract
Трехмерные фотонные кристаллы со структурой инвертированного
яблоновита изготовлены методом нелинейной лазерной нанолитографии, основанной на
двухфотонной полимеризации фоточувствительного материала. Соответствие структуры
полученных образцов решетке инвертированного яблоновита подтверждено с помощью
сканирующей электронной микроскопии. Произведен расчет фотонной зонной структуры
инвертированного яблоновита, а также ряда родственных фотонных материалов,
обладающих гранецентрированной кубической решеткой. Установлено, что фотонные
свойства опала и яблоновита противоположны: полная запрещенная фотонная зона
возникает в инвертированном опале и прямом яблоновите, а в прямом опале и
инвертированном яблоновите отсутствует. Обсуждается метод создания идеальных
трехмерных фотонных структур, обладающих полной запрещенной фотонной зоной в ИК-
и видимом диапазоне спектра.