Теоретическое исследование магнитных свойств упорядоченных вакансий в 2D гексагональных структурах: графен, 2D-SiC, h-BN
Н. С. Елисеева+, А. А. Кузубов+*°, С. Г. Овчинников+°, М. В. Сержантова+×∇, Ф. Н. Томилин°, А. С. Федоров°
+Сибирский федеральный университет, 660028 Красноярск, Россия
*Сибирский государственный технологический университет, 660049 Красноярск, Россия
°Институт физики им. Киренского СО РАН, 660036 Красноярск, Россия
×Сибирский государственный аэрокосмический университет, 660014 Красноярск, Россия
∇Красноярский филиал Московского государственного университета экономики, статистики и информатики, 660012 Красноярск, Россия
Abstract
В работе проведено исследование магнитных свойств вакансий в плоских
гексагональных структурах: графене, монослоях 2D-SiC и h-BN. Установлено, что во
всех рассмотренных системах в присутствии вакансий наблюдается локальный
магнитный момент. Однако в плоском гексагональном карбиде кремния (2D-SiC)
локальный магнитный момент появляется только в случае вакансии кремния. Кроме
того, обнаружено влияние расстояния между вакансиями в монослое на переходы
между ферромагнитным и антиферромагнитным состояниями.