Магнитные эффекты в окислении кремния
О. В. Коплак+, Р. Б. Моргунов, А. Л. Бучаченко
+Научно-образовательный центр "ФХМ" Киевского университета и НАН Украины, 01033 Киев, Украина
Институт проблем химической физики РАН, 142432 Черноголовка, Россия
Abstract
Методом масс-спектрометра обнаружено, что магнитное поле ускоряет
окисление поверхности кристаллов кремния.
Скорость окисления зависит также и от ядерного спина кремния: атомы
с магнитными ядрами (29Si) окисляются почти вдвое быстрее,
чем атомы с бесспиновыми,
немагнитными ядрами (28Si и 30Si).
Оба эффекта - магнитно-полевой и магнитно-изотопный -
надежно доказывают, что окисление кремния является
спин-селективной реакцией, в которой участвуют радикалы и
радикальные пары как промежуточные парамагнитные частицы.
Обсуждается спин-селективный, магнитночувствительный
механизм окисления.