Электролюминесценция квантовых точек CdSe/CdS и перенос энергии экситонного возбуждения в органическом светоизлучающем диоде
А. А. Ващенко+, В. С. Лебедев+*, А. Г. Витухновский+, Р. Б. Васильев×, И. Г. Саматов×
+Физический институт им. Лебедева РАН, 119991 Москва, Россия
*Московский физико-технический институт, 141700 Долгопрудный, Россия
×МГУ им. Ломоносова, 119991 Москва, Россия
Abstract
Разработан светоизлучающий диод на основе многослойных наноструктур,
в котором роль эмиттеров выполняют полупроводниковые коллоидные квантовые точки
CdSe/CdS. Получены их спектры поглощения, фото-
и электролюминесценции. Продемонстрировано сильное влияние размерного эффекта и
плотности расположения
частиц в слое на спектральные и электрофизические характеристики диода.
Показано, что скорости передачи энергии экситонного возбуждения от органических
молекул квантовым точкам сильно возрастают даже при небольшом увеличении радиуса
ядра (CdSe) частицы и существенно зависят от толщины ее оболочки (CdS). С
использованием полученных экспериментальных данных проведены оценки оптимального
расположения слоя квантовых точек относительно области p-n-перехода.
Результаты работы демонстрируют возможность эффективного управления
спектральными характеристиками и скоростями электронных процессов в
светоизлучающих устройствах, созданных на основе внедренных в органическую
матрицу квантовых точек.