Home
| VOLUME 96 (2012) | ISSUE 1 | PAGE 42 |
|---|
|
Фазовые превращения в системе Mn-Ge и в разбавленных полупроводниках GexMn1-x
В. Г. Мягков×*, В. С. Жигалов×*, А. А. Мацынин×*, Л. Е. Быкова×, Г. В. Бондаренко×, Г. Н. Бондаренко+, Г. С. Патрин×°, Д. А. Великанов×°
×Институт физики им. Киренского СО РАН, 660036 Красноярск, Россия *Сибирский государственный аэрокосмический университет им. Решетнева, 660014 Красноярск, Россия +Институт химии и химической технологии СО РАН, 660036 Красноярск, Россия °Сибирский федеральный университет, 660041 Красноярск, Россия
Abstract
Представлены результаты экспериментального исследования твердофазных реакций в Ge/Mn поликристаллических пленках 80Ge : 20Mn атомного состава методом рентгеновской дифракции, магнитных и электрических измерений. Показано, что ферромагнитная Mn5Ge3-фаза формируется первой на Ge/Mn-интерфейсе после отжигов при  120 °C. Дальнейшее увеличение температуры
отжига до 300 °C приводит к началу синтеза Mn11Ge8-фазы, которая
становится доминирующей при 400 °C. На основании анализа приведенных
результатов и результатов,
полученных ранее при исследовании твердофазных реакций в различных
пленочных структурах, предсказано существование новых структурных переходов в
Mn-Ge системе в районе 120 и 300 °C.
Обосновывается предположение об общих химических механизмах синтеза
Mn5Ge3- и Mn11Ge8-фаз при твердофазных реакциях в
Ge/Mn-пленках
80Ge : 20Mn атомного состава и при фазовом расслоении
в GexMn1-x (x > 0.95) разбавленных полупроводниках.
|