Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
   Volumes 113-120
   Volumes 93-112
      Volume 112
      Volume 111
      Volume 110
      Volume 109
      Volume 108
      Volume 107
      Volume 106
      Volume 105
      Volume 104
      Volume 103
      Volume 102
      Volume 101
      Volume 100
      Volume 99
      Volume 98
      Volume 97
      Volume 96
      Volume 95
      Volume 94
      Volume 93
Search
VOLUME 96 (2012) | ISSUE 1 | PAGE 42
Фазовые превращения в системе Mn-Ge и в разбавленных полупроводниках GexMn1-x
Abstract
Представлены результаты экспериментального исследования твердофазных реакций в Ge/Mn поликристаллических пленках 80Ge : 20Mn атомного состава методом рентгеновской дифракции, магнитных и электрических измерений. Показано, что ферромагнитная Mn5Ge3-фаза формируется первой на Ge/Mn-интерфейсе после отжигов при \sim 120 °C. Дальнейшее увеличение температуры отжига до 300 °C приводит к началу синтеза Mn11Ge8-фазы, которая становится доминирующей при 400 °C. На основании анализа приведенных результатов и результатов, полученных ранее при исследовании твердофазных реакций в различных пленочных структурах, предсказано существование новых структурных переходов в Mn-Ge системе в районе \sim 120 и \sim 300 °C. Обосновывается предположение об общих химических механизмах синтеза Mn5Ge3- и Mn11Ge8-фаз при твердофазных реакциях в Ge/Mn-пленках 80Ge : 20Mn атомного состава и при фазовом расслоении в GexMn1-x (x > 0.95) разбавленных полупроводниках.