Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
   Volumes 113-120
   Volumes 93-112
      Volume 112
      Volume 111
      Volume 110
      Volume 109
      Volume 108
      Volume 107
      Volume 106
      Volume 105
      Volume 104
      Volume 103
      Volume 102
      Volume 101
      Volume 100
      Volume 99
      Volume 98
      Volume 97
      Volume 96
      Volume 95
      Volume 94
      Volume 93
Search
VOLUME 96 (2012) | ISSUE 1 | PAGE 77
Электронная структура двойных квантовых точек Ge в Si
Abstract
Представлен обзор теоретических исследований электронной структуры упругонапряженных двойных квантовых точек Ge в Si, проведенных в рамках шестизонного kp-приближения с гамильтонианом Бира-Пикуса и метода конфигурационного взаимодействия. Обнаружено существование антисвязывающего основного состояния дырок. Установлено, что при сближении квантовых точек обменная энергия двухчастичных состояний имеет минимум в точке пересечения уровней связывающего и антисвязывающего состояний, причем состояния синглета и триплета в этой точке вырождаются. Для низшего по энергии спинового синглета обнаружено явление, связанное с кулоновскими корреляциями в движении двух дырок и проявляющееся в локализации двухчастичной волновой функции в противоположных квантовых точках при удалении точек друг от друга. Показано, что степень перепутывания квантовых состояний синглета в условиях проявления таких пространственных корреляций достигает 50