Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
   Volumes 113-120
   Volumes 93-112
      Volume 112
      Volume 111
      Volume 110
      Volume 109
      Volume 108
      Volume 107
      Volume 106
      Volume 105
      Volume 104
      Volume 103
      Volume 102
      Volume 101
      Volume 100
      Volume 99
      Volume 98
      Volume 97
      Volume 96
      Volume 95
      Volume 94
      Volume 93
Search
VOLUME 96 (2012) | ISSUE 3 | PAGE 197
Поверхностный импеданс кристаллов k-(BEDT-TTF)2Cu[N(CN)2]Br
Abstract
Прецизионные измерения в интервале температур 0.5<T<100 K действительной и мнимой частей микроволнового поверхностного импеданса Zac(T)=Rac(T)+iXac(T) проводящих ac-слоев кристаллов k-(BEDT-TTF)2Cu[N(CN)2]Br демонстрируют ряд особенностей: (i) в сверхпроводящем состоянии при T\ll T_c\approx11.5 K близкий к линейному температурный ход глубины проникновения поля Δλac(T)∞Δ Xac(T); (ii) в нормальном состоянии совпадение кривых Rac(T)=Xac(T) при Tc<T<40 K; (iii) при T>40 K возрастание величины Xac(T) по сравнению с Rac(T); (iv) при T>40 K немонотонный ход Rac(T) в тонких кристаллах. Эти особенности импеданса Zac(T) с увеличением Т интерпретируются в терминах: (i) d-типа симметрии сверхпроводящего параметра порядка; (ii) нормального скин-эффекта; (iii) проявлений антиферромагнитных флуктуаций; (iv) размерного эффекта. Определены значения электродинамических параметров k-(BEDT-TTF)2Cu[N(CN)2]Br.