Поверхностный импеданс кристаллов k-(BEDT-TTF)2Cu[N(CN)2]Br
Н. В. Перунов+*, А. Ф. Шевчун+, Н. Д. Кущ×, М. Р. Трунин+°
+Институт физики твердого тела РАН, 142432 Черноголовка, Россия
*Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, 02139 Massachusetts, USA
×Институт проблем химической физики РАН, 142432 Черноголовка, Россия
°Московский физико-технический институт, 141700 Долгопрудный, Россия
Abstract
Прецизионные измерения в интервале температур
0.5<T<100 K действительной и мнимой частей
микроволнового поверхностного импеданса
Zac(T)=Rac(T)+iXac(T) проводящих ac-слоев
кристаллов k-(BEDT-TTF)2Cu[N(CN)2]Br демонстрируют ряд
особенностей: (i) в сверхпроводящем состоянии при
K близкий к линейному температурный ход
глубины проникновения поля
Δλac(T)∞Δ Xac(T);
(ii) в нормальном состоянии совпадение кривых
Rac(T)=Xac(T) при Tc<T<40 K;
(iii) при T>40 K возрастание величины Xac(T)
по сравнению с Rac(T);
(iv) при T>40 K немонотонный ход Rac(T) в тонких кристаллах.
Эти особенности импеданса Zac(T) с увеличением Т
интерпретируются в терминах:
(i) d-типа симметрии сверхпроводящего параметра порядка;
(ii) нормального скин-эффекта;
(iii) проявлений антиферромагнитных флуктуаций;
(iv) размерного эффекта.
Определены значения электродинамических параметров
k-(BEDT-TTF)2Cu[N(CN)2]Br.