Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
   Volumes 113-120
   Volumes 93-112
      Volume 112
      Volume 111
      Volume 110
      Volume 109
      Volume 108
      Volume 107
      Volume 106
      Volume 105
      Volume 104
      Volume 103
      Volume 102
      Volume 101
      Volume 100
      Volume 99
      Volume 98
      Volume 97
      Volume 96
      Volume 95
      Volume 94
      Volume 93
Search
VOLUME 96 (2012) | ISSUE 4 | PAGE 252
Релаксационное и резонансное поглощение ультразвука ян-теллеровскими центрами в кристалле GaAs:Cu
Abstract
Экспериментально исследовано взаимодействие ультразвука с комплексами Cu Ga4As в кристалле GaAs:Cu. Измерены температурные зависимости поглощения всех нормальных ультразвуковых мод, распространяющихся в направлении <110>, как в легированных медью, так и в номинально чистых кристаллах арсенида галлия. В кристалле GaAs:Cu обнаружен пик поглощения для поперечной волны, поляризованной вдоль оси <110>, упругие смещения которой соответствуют симметрии тетрагональной моды эффекта Яна-Теллера. Характер температурной зависимости поглощения этой волны свидетельствует о том, что имеет место поглощение двух типов: релаксационное и резонансное. Построена температурная зависимость времени релаксации, свидетельствующая о том, что при температурах ниже 10 К основным механизмом релаксации является туннелирование через потенциальный барьер между минимумами адиабатического потенциала. На основе экспериментальных данных получена оценка величины туннельного расщепления, которая находится в хорошем согласии с теоретической.