Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
   Volumes 113-119
   Volumes 93-112
      Volume 112
      Volume 111
      Volume 110
      Volume 109
      Volume 108
      Volume 107
      Volume 106
      Volume 105
      Volume 104
      Volume 103
      Volume 102
      Volume 101
      Volume 100
      Volume 99
      Volume 98
      Volume 97
      Volume 96
      Volume 95
      Volume 94
      Volume 93
Search
VOLUME 96 (2012) | ISSUE 5 | PAGE 363
Фотоэмиссия из квантовых точек InAs/GaAs, декорированных адатомами цезия
Abstract
Проведено декорирование адсорбированными атомами металла массива незарощенных квантовых точек InAs/GaAs in situ в сверхвысоком вакууме. Исследованы их электронные и фотоэмиссионные свойства. Обнаружена кардинальная модификация спектров пороговой фотоэмиссии из квантовых точек по мере увеличения цезиевого покрытия. Установлены два фотоэмиссионных канала, которые характеризуются существенно различными интенсивностью, спектральным положением и шириной селективных полос. Показано, что декорирование квантовых точек позволяет управлять электронной структурой и квантовым выходом фотоэмиссии, природа которой связана с возбуждением электронных состояний подложки GaAs и квантовых точек InAs.