Home
| VOLUME 96 (2012) | ISSUE 7 | PAGE 519 |
|---|
|
Особенности магнетосопротивления монослойного графена при рассеянии на короткодействующем потенциале
Г. Ю. Васильева, П. С. Алексеев, Ю. Л. Иванов, Ю. Б. Васильев, Д. Смирнов+, Х. Шмидт+, Р. Ж. Хауг+, Ф. Гойдер*, Г. Начтвей*
Физико-технический институт им. Иоффе, С.-Петербург, Россия +Institut fur Festkörperphysik, Universität Hannover, 30167 Hannover, Germany *Institut für Angewandte Physik, Technische Universitat Braunschweig, 38106 Braunschweig, Germany
Abstract
Проведены измерения магнетосопротивления монослойного графена, расположенного на подложке Si/SiO2, при температурах 2.5-150 К. Обнаружено, что в области достаточно высоких температур вдали от точки Дирака сопротивление зависит от магнитного поля как квадратный корень, что согласуется с недавним теоретическим расчетом магнетосопротивления в случае рассеяния носителей на дефектах с короткодействующим потенциалом. |