Наблюдение аномальной температурной зависимости резонансного туннелирования через нульмерные состояния в квантовой яме в условиях динамического кулоновского взаимодействия между туннельными каналами
Е. Е. Вдовин, Ю. Н. Ханин, М. Хенини+
Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, 142432 Черноголовка, Россия
+School of Physics and Astronomy, Nottingham Nanotechnology and Nanoscience Centre, University of Nottingham, Nottingham NG7 2RD, UK
Abstract
Исследовано магнитотуннелирование через нульмерные состояния в слаболегированной
кремнием GaAs квантовой яме резонансно-туннельного диода, залегающие глубже
уровней изолированных мелких доноров. Обнаружена аномальная температурная
зависимость резонансов туннелирования через некоторые из таких состояний, которая не может быть
объяснена с точки зрения традиционных представлений о туннелировании через
невзаимодействующие каналы. Предложена модель, предполагающая наличие
динамического кулоновского взаимодействия основного резонансно-туннельного канала с
параллельным неупругим каналом, дающая качественное описание полученной в
эксперименте аномальной зависимости. Приложение слабого магнитного поля разрушает
режим динамической блокады канала туннелирования.