Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
   Volumes 113-120
   Volumes 93-112
      Volume 112
      Volume 111
      Volume 110
      Volume 109
      Volume 108
      Volume 107
      Volume 106
      Volume 105
      Volume 104
      Volume 103
      Volume 102
      Volume 101
      Volume 100
      Volume 99
      Volume 98
      Volume 97
      Volume 96
      Volume 95
      Volume 94
      Volume 93
Search
VOLUME 96 (2012) | ISSUE 9 | PAGE 646
Туннельная аномалия при нулевом смещении в двумерной электронной системе с беспорядком
Abstract
В туннельной структуре Al/δ-GaAs с концентрацией 2D-электронов в δ-слое 3.5•1012 см-2 исследована зависимость аномалии туннельной проводимости при нулевом смещении от температуры T. Показано, что соответствующий этой аномалии провал \Delta\rho(\varepsilon,T) в туннельной плотности состояний ρ вблизи ферми-уровня E F двумерной электронной системы логарифмически зависит от энергии \varepsilon в диапазоне 2.7kT<|\varepsilon|<\hbar/\tau, где \varepsilon отсчитана от E F, а τ - время релаксации импульса 2D-электронов. Глубина провала Δρ(0,T)/ρ также пропорциональна \ln(kT/\varepsilon_{0}) в диапазоне T=(0.1-20) K. При температурах ниже 0.1 K обнаружено насыщение зависимости Δρ(0,T)/ρ.