Home
| VOLUME 96 (2012) | ISSUE 10 | PAGE 743 |
|---|
|
Критический ток в планарных джозефсоновских S-N-S-системах
Т. Е. Голикова+, Ф. Хюблер×, Д. Бекманн× 2), Н. В. Кленов°, С. В. Бакурский°, М. Ю. Куприянов°, И. Е. Батов+, В. В. Рязанов+*
+Институт физики твердого тела РАН, 142432 Черноголовка, Россия ×Institute of Nanotechnology, Karlsruhe Institute of Technology, 76021 Karlsruhe, Germany Научно-исследовательский институт ядерной физики им. Скобельцына, МГУ им. Ломоносова, 119991 Москва, Россия *Московский физико-технический институт, 141700 Долгопрудный, Россия
Abstract
Экспериментально и теоретически исследованы особенности эффекта близости и джозефсоновского поведения планарных субмикронных S-N-S-структур, изготовленных с помощью электронной литографии и теневого напыления. Обнаружено резкое повышение критического тока структур при понижении температуры, связанное с изменением эффективного размера слабой связи за счет включения дополнительной SN-границы. |