Излучательная и безызлучательная рекомбинация автолокализованного экситона на поверхности кремниевого нанокристалла
А. В. Герт, И. Н. Яссиевич
Физико-технический институт им. Иоффе РАН, 194021 С.-Петербург, Россия
Abstract
Построена теория многофононной и излучательной рекомбинации
автолокализованного экситона на поверхности нанокристаллов кремния в матрице
SiO2. Автолокализованные экситоны играют ключевую роль в динамике горячих
носителей при фотовозбуждении нанокристаллов. Проведены численные оценки
отношения вероятностей излучательной и многофононной рекомбинации
автолокализованного экситона. Рассчитаны вероятности туннельного перехода
экситона из автолокализованного состояния в нанокристалл при комнатной и азотной
температурах для нанокристаллов различного размера. Получен спектр излучения
автолокализованного экситона, лежащий в инфракрасной области.