Внутризонные оптические переходы дырок в напряженных квантовых ямах SiGe
А. И. Якимов, В. В. Кириенко, В. А. Тимофеев, А. И. Никифоров
Институт физики полупроводников им. Ржанова СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия
Abstract
Изучены спектры оптического поглощения поляризованного инфракрасного
излучения в структурах с квантовыми ямами SiGe p-типа. Исследовались три типа
структур, различающихся величиной и знаком двуосных упругих деформаций.
Обнаружено, что при растяжении квантовой ямы в плоскости гетероперехода
происходит двукратное увеличение коэффициента поглощения света в области
межподзонных переходов. Полученные результаты объяснены сменой очередности расположения зон
тяжелых и легких дырок, вызванной деформацией растяжения, и формированием
основного состояния носителей заряда в зоне легких дырок.