Магнитоэлектрический эффект в пленках гранатов с наведенной магнитной анизотропией в неоднородном электрическом поле
А. Ф. Кабыченков, Ф. В. Лисовский, Е. Г. Мансветова
Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. Котельникова РАН, 141190 Фрязино, Россия
Abstract
Предложен не связанный с наличием электрически заряженных доменных
границ механизм возникновения сильного магнитоэлектрического эффекта в
эпитаксиальных пленках магнитных гранатов, зависящий от кристаллографической
ориентации последних и обусловленный влиянием неоднородного электрического
поля на наведенную магнитную анизотропию.