Тонкая структура экситонных состояний InAs квантовых точек
А. В. Гайслер*, А. С. Ярошевич*, И. А. Деребезов*, А. К. Калагин*, А. К. Бакаров*, А. И. Торопов*, Д. В. Щеглов*×, В. А. Гайслер*+, А. В. Латышев*×, А. Л. Асеев*
*Институт физики полупроводников им. Ржанова СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия
+Новосибирский государственный технический университет, 630092 Новосибирск, Россия
×Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия
Abstract
Методом криогенной микрофотолюминесценции исследована тонкая структура
экситонных состояний InAs квантовых точек, выращенных по механизму
Странского-Крастанова с малым временем прерывания роста. Продемонстрировано монотонное
увеличение расщепления экситонных состояний с увеличением размера квантовых
точек до значений мкэВ. Показано, что в интервале энергий
экситонов 1.3-1.4 эВ величина расщепления экситонных состояний сравнима с
естественной шириной экситонных линий. Это представляет большой интерес для
разработки излучателей пар запутанных фотонов на основе InAs квантовых точек.