Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
   Volumes 113-120
   Volumes 93-112
      Volume 112
      Volume 111
      Volume 110
      Volume 109
      Volume 108
      Volume 107
      Volume 106
      Volume 105
      Volume 104
      Volume 103
      Volume 102
      Volume 101
      Volume 100
      Volume 99
      Volume 98
      Volume 97
      Volume 96
      Volume 95
      Volume 94
      Volume 93
Search
VOLUME 97 (2013) | ISSUE 9 | PAGE 597
Численное моделирование графена в магнитном поле в рамках эффективной теории поля
DOI: 10.7868/S0370274X13090038
Abstract
Представлены результаты моделирования графена, полученные методом Монте-Карло, во внешнем магнитном поле, перпендикулярном плоскости графена. Расчеты выполнены в рамках эффективной квантовой теории поля с некомпактным 3 + 1-мерным абелевым калибровочным полем и 2 + 1-мерными фермионами Когута-Сасскинда. Обнаружено, что внешнее магнитное поле смещает точку фазового перехода полуметалл-изолятор в сторону больших значений диэлектрической проницаемости подложки. Построена фазовая диаграмма перехода полуметалл-изолятор в плоскости диэлектрическая проницаемость подложки-магнитное поле.