Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
   Volumes 113-120
   Volumes 93-112
      Volume 112
      Volume 111
      Volume 110
      Volume 109
      Volume 108
      Volume 107
      Volume 106
      Volume 105
      Volume 104
      Volume 103
      Volume 102
      Volume 101
      Volume 100
      Volume 99
      Volume 98
      Volume 97
      Volume 96
      Volume 95
      Volume 94
      Volume 93
Search
VOLUME 97 (2013) | ISSUE 10 | PAGE 660
Спиновая релаксация в квантовых ямах GaAs/AlGaAs вблизи нечетных факторов заполнения
DOI: 10.7868/S0370274X13100044
Abstract
Исследован электронный парамагнитный резонанс в GaAs/AlGaAs квантовых ямах вблизи нечетных факторов заполнения ν=3,5,7. По ширине линии резонансного микроволнового поглощения определено время спиновой релаксации двумерных электронов. Изучены зависимости времени спиновой релаксации от фактора заполнения, температуры и ориентации магнитного поля. При удалении от нечетных факторов заполнения время спиновой релаксации заметно падает, а его максимальное значение зависит от угла наклона магнитного поля к плоскости двумерного электронного газа.