Особенности одночастичного туннелирования сквозь EuS-барьер
Борухович А.С., Сухов В.А.
На дифференциальной ΒΑΧ туннельной структуры NbN EuS РЬ обнаружены особенности, связанные с наличием неаддитивных вкладов одночастичного туннелирования сквозь ферромагнитный полупроводниковый (ФП) барьер. Их происхождение может быть обязано механизму фононной генерации на границе S -ФП.