Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
   Volumes 113-120
   Volumes 93-112
      Volume 112
      Volume 111
      Volume 110
      Volume 109
      Volume 108
      Volume 107
      Volume 106
      Volume 105
      Volume 104
      Volume 103
      Volume 102
      Volume 101
      Volume 100
      Volume 99
      Volume 98
      Volume 97
      Volume 96
      Volume 95
      Volume 94
      Volume 93
Search
VOLUME 97 (2013) | ISSUE 12 | PAGE 825
Зондирование локальных электронных состояний в узкощелевых полупроводниках Pb1-xSnxTe(In) с помощью лазерного терагерцового излучения
DOI: 10.7868/S0370274X13120126
Abstract
Локальные электронные состояния в легированных индием твердых растворах на основе теллурида свинца характеризуются рядом особенностей, выделяющих их из многообразия примесных состояний в полупроводниках. В наиболее явном виде эти особенности проявляются в терагерцовой фотопроводимости. В настоящем обзоре рассматриваются результаты соответствующих экспериментальных исследований, проводимых в рамках проектов РФФИ в течение последних лет.