Аномальный рост термоЭДС в однослойном графене, сформированном на перестраиваемом бислое графена
З. З. Алисултанов
Институт общей физики им. Прохорова РАН, 119991 Москва, Россия
Институт физики им. Амирханова ДНЦ РАН, 367003 Махачкала, Россия
Дагестанский государственный университет, 367000 Махачкала, Россия
Abstract
В рамках простой модели исследованы проводимость и термоЭДС монослоя графена, сформированного на перестраиваемом бислое графена. Показано, что вблизи краев запрещенной щели перестраиваемого бислоя графена появляются изломы проводимости и пики термоЭДС монослоя графена.