Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
   Volumes 113-120
   Volumes 93-112
      Volume 112
      Volume 111
      Volume 110
      Volume 109
      Volume 108
      Volume 107
      Volume 106
      Volume 105
      Volume 104
      Volume 103
      Volume 102
      Volume 101
      Volume 100
      Volume 99
      Volume 98
      Volume 97
      Volume 96
      Volume 95
      Volume 94
      Volume 93
Search
VOLUME 98 (2013) | ISSUE 5 | PAGE 342
Особенности проводимости и магнетосопротивления легированных двумерных структур вблизи перехода металл-диэлектрик
DOI: 10.7868/S0370274X13170128
Abstract
Представлен обзор теоретических и экспериментальных результатов, относящихся к исследованию проводимости и магнетосопротивления селективно легированных структур квантовых ям GaAs-AlGaAS в окрестности перехода металл-диэлектрик. Особое внимание уделено роли структуры примесных зон, которые в отсутствие преднамеренной компенсации являются узкими, а при легировании барьеров включают также частично заполненную верхнюю зону Хаббарда. Показано, что в указанных структурах проявляются: 1) специфическая смешанная проводимость, которая может, в частности, включать вклад делокализованных состояний в примесной зоне, 2) виртуальный переход Андерсона, который подавляется с ростом беспорядка за счет компенсации или с повышением концентрации легирующей примеси, 3) медленные релаксации прыжкового магнетосопротивления, обусловленные эффектами кулоновского стекла, включающего, в частности, состояния верхней зоны Хаббарда, 4) подавление отрицательного интерференционного магнетосопротивления, обусловленное спиновыми эффектами.