Эффекты многократного отражения при неупругом электронном транспорте через анизотропный магнитный атом
В. В. Вальков, С. В. Аксенов, Е. А. Уланов+
Институт физики им. Киренского СО РАН, 660036 Красноярск, Россия
+Сибирский государственный аэрокосмический университет им. Решетнева, 660014 Красноярск, Россия
Abstract
Исследовано влияние многократного отражения при электронном транспорте
на
вольт-амперную характеристику адсорбированного
магнитного атома с одноионной анизотропией. Для учета вкладов всех
порядков теории возмущений по параметрам связи контактов с
многоуровневой примесью применены операторы Хаббарда и диаграммная
техника Келдыша. Показано, что в режиме сильной неравновесности
вольт-амперные характеристики рассмотренной системы содержат
участки с отрицательной дифференциальной проводимостью. Обсуждаются
способы увеличения этого эффекта.