Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
   Volumes 113-120
   Volumes 93-112
      Volume 112
      Volume 111
      Volume 110
      Volume 109
      Volume 108
      Volume 107
      Volume 106
      Volume 105
      Volume 104
      Volume 103
      Volume 102
      Volume 101
      Volume 100
      Volume 99
      Volume 98
      Volume 97
      Volume 96
      Volume 95
      Volume 94
      Volume 93
Search
VOLUME 98 (2013) | ISSUE 8 | PAGE 513
Фотоэмиссия из p-GaAs(001) с неравновесными слоями цезия
DOI: 10.7868/S0370274X13200046
Abstract
Экспериментально изучены зависимости тока фотоэмиссии и эффективного электронного сродства от величины субмонослойного цезиевого покрытия при адсорбции Cs на поверхности GaAs(001), а также кинетика фототока и сродства после выключения Cs источника, обусловленная релаксацией структуры неравновесного адсорбционного слоя. Обнаруженные особенности в зависимости фототока от Cs-покрытия связаны с немонотонным поведением поверхностного изгиба зон в системе Cs/GaAs(001). Установлено, что релаксационное уменьшение фототока при покрытиях менее половины монослоя обусловлено релаксацией изгиба зон, а рост фототока при больших покрытиях вызван релаксацией электронного сродства.