Home
| VOLUME 98 (2013) | ISSUE 9 | PAGE 626 |
|---|
|
Динамика решетки BiTeI при высоких давлениях
Ю. С. Поносов, Т. В. Кузнецова, О. Е. Терещенкоa,b,c, К. А. Кох b,c,d, E. В. Чулков c,e,f,g
Институт физики металлов УрО РАН, 620990 Екатеринбург, Россия aИнститут физики полупроводников им. Ржанова СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия bНовосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия cТомский государственный университет, 634050 Томск, Россия dИнститут геологии и минералогии им. Соболева СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия eDonostia International Physics Center, 20018 San Sebastian/Donostia, Basque Country, Spain fDepartamento de Fisica de Materiales UPV/EHU, Facultad de Ciencias Quimicas, UPV/EHU, 20080 San Sebastian/Donostia, Basque Country, Spain gCentro de Fisica de Materiales CFM-MPC, Centro Mixto CSIC-UPV/EHU, 20080 San Sebastian/Donostia, Basque Country, Spain
Abstract
Представлены результаты рамановских измерений фононного спектра BiTeI в области давлений до 20 ГПа. Обнаружено уменьшение ширины линии Е2 колебания почти в два раза при увеличении давления до 3 ГПа. При этом частоты всех четырех раман-активных мод монотонно растут при увеличении давления. Эти линии наблюдаются в спектрах до  ГПа. В области давлений 8-9 ГПа
происходит резкое изменение спектра, свидетельствующее о переходе в фазу
высокого давления, сохраняющуюся до 20 ГПа. Переход является обратимым и
практически не имеет гистерезиса. При этом в фазе высокого давления образец
остается монокристаллическим.
|