Микроволновый отклик баллистической квантовой точки
З. Д. Квон+*, Г. М. Гусев, А. Д. Левин, Д. А. Козлов+, Е. Е. Родякина+, А. В. Латышев+
+Институт физики полупроводников им. Ржанова СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия *Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия Instituto de Física, Universidade de So Paulo, 05315-970 So Paulo, SP, Brazil
Abstract
Экспериментально исследован микроволновый отклик
(фотоЭДС и фотокондактанс) латеральной баллистической квантовой
точки, созданной на основе высокоподвижного двумерного
электронного газа в гетеропереходе AlGaAs/GaAs, в диапазоне частот
110-170 ГГц. Найдено, что асимметрия фотоЭДС по знаку магнитного
поля носит мезоскопический характер в зависимости не только от
магнитного поля, но и от мощности излучения. Это свидетельствует о
нарушении соотношения Онсагера, связанного с эффектами
межэлектронного взаимодействия, в мезоскопическом
фотогальваническом эффекте. Обнаружен сильный рост кондактанса
точки под действием микроволнового излучения, имеющий не
разогревную природу, а также индуцированные этим излучением
магнитоосцилляции.
|