Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
   Volumes 113-119
   Volumes 93-112
      Volume 112
      Volume 111
      Volume 110
      Volume 109
      Volume 108
      Volume 107
      Volume 106
      Volume 105
      Volume 104
      Volume 103
      Volume 102
      Volume 101
      Volume 100
      Volume 99
      Volume 98
      Volume 97
      Volume 96
      Volume 95
      Volume 94
      Volume 93
Search
VOLUME 99 (2014) | ISSUE 1 | PAGE 25
Аномальное поведение поверхностного натяжения на границе металл-диэлектрик вблизи МД фазового перехода во внешнем магнитном поле
Abstract
Сформулированы уравнения самосогласованного поля для перехода металл-диэлектрик (МД) на основе двух связанных параметров порядка, характеризующих переход: 1) скалярного параметра порядка, описывающего изменение плотности при переходе из диэлектрического состояния в металлическое; 2) параметра порядка, являющегося двухкомпонентным комплексным вектором, описывающим плотность электронов в металлической или полуметаллической фазе в магнитном поле. Две различные компоненты этого вектора описывают возможные спиновые состояния электронов во внешнем магнитном поле. Переход по плотности металлической и диэлектрической фаз, являющийся переходом первого рода, рассматривается в виде градиентного разложения в духе Кана-Хилларда. Переход по электронной плотности является переходом второго рода и описывается функционалом типа Гинзбурга-Ландау. Связь между этими параметрами описывается линейным членом по электронной плотности n в металле с коэффициентом, зависящим от плотности металлической фазы. Получающиеся уравнения решены в случае МД-границы в присутствии как параллельного, так и перпендикулярного однородного магнитного поля. Вычислено поверхностное натяжение между металлической и диэлектрической фазой Σ mi, которое ведет себя сингулярным образом. При обращении электронной плотности в нуль \Sigma _{mi}\sim n^{3/2}, n\Rightarrow 0. Вблизи точки МД-перехода в магнитном поле Tc ( h) величина \Sigma _{mi}\sim [T-T_c ({\bf h})]^{3/2}. Сингулярное поведение поверхностного натяжения на МД-границе ведет к выраженному гистерезису при переходе из диэлектрического состояния в металлическое и обратно.