К вопросу о распределениях фотоэлектронов над освещенной частью Луны
С. И. Попель+*×, А. П. Голубь+, Ю. Н. Извекова+*×, В. В. Афонин*, Г. Г. Дольников*, А. В. Захаров*, Л. М. Зеленый*×, Е. А. Лисин°, О. Ф. Петров×°
+Институт динамики геосфер РАН, 119334 Москва, Россия
*Институт космических исследований РАН, 117997 Москва, Россия
×Московский физико-технический институт, 141700 Долгопрудный, Россия
°Объединенный институт высоких температур РАН, 125412 Москва, Россия
Abstract
Существующие представления о фотоэмиссионных свойствах
лунного реголита не дают однозначной трактовки относительно параметров и
распределений фотоэлектронов над освещенной частью Луны. На это
указывают проведенные в данной работе вычисления концентрации,
температуры и функции распределения фотоэлектронов.
Продемонстрировано, что основным параметром, влияющим на генерацию
фотоэлектронов у поверхности Луны, является квантовый выход
лунного реголита. На сегодняшний день имеется весьма существенная
неоднозначность в определении его величины. В качестве варианта
решения указанной проблемы предлагается проведение экспериментов
по измерению квантового выхода реголита непосредственно на
поверхности Луны. Последнее может быть осуществлено в рамках будущих
лунных миссий.