|
VOLUME 99 (2014) | ISSUE 3 |
PAGE 154
|
Влияние допирования на сверхпроводящие свойства Sm1-xThxOFeAs: наблюдение эффекта внутренних многократных андреевских отражений и определение параметров сверхпроводящего состояния
Т. Е. Кузьмичева+*, С. А. Кузьмичев*, Н. Д. Жигадло×
+Физический институт им. Лебедева РАН, 119991 Москва, Россия *МГУ им. Ломоносова, 119991 Москва, Россия ×Laboratory for Solid State Physics, ETH Zurich, CH-8093 Zurich, Switzerland
Abstract
Проведены исследования контактов на микротрещине
(техника break-junction) типа SNS
и S-N-S-N-...-S (где S - сверхпроводник, N - нормальный металл), созданных в
поликристаллах сверхпроводника Sm1-xThxOFeAs
с критическими температурами
Tc=(34-45) K. В таких
контактах наблюдались эффекты (внутренних) многократных
андреевских отражений. С помощью спектроскопий, основанных на этих эффектах, было
установлено наличие двух независимых параметров порядка и определены их величины.
Теоретический анализ температурных зависимостей большой и малой щелей показал, что
сверхпроводящие свойства Sm1-xThxOFeAs определяются в основном внутризонным
взаимодействием, причем
(где Vij - матричные элементы электрон-бозонного взаимодействия),
а отношение N2/N1 плотностей состояний в зонах с малой и
большой щелями, соответственно, составляет примерно порядок. Оценены
"собственные" значения характеристических отношений
БКШ в гипотетическом случае
отсутствия межзонного взаимодействия ()
для каждого из конденсатов,
.
Эти величины остаются постоянными в исследованном интервале
критических температур и соответствуют случаю сильного внутризонного
электрон-фононного взаимодействия.
|
|