Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
   Volumes 113-119
   Volumes 93-112
      Volume 112
      Volume 111
      Volume 110
      Volume 109
      Volume 108
      Volume 107
      Volume 106
      Volume 105
      Volume 104
      Volume 103
      Volume 102
      Volume 101
      Volume 100
      Volume 99
      Volume 98
      Volume 97
      Volume 96
      Volume 95
      Volume 94
      Volume 93
Search
VOLUME 99 (2014) | ISSUE 3 | PAGE 154
Влияние допирования на сверхпроводящие свойства Sm1-xThxOFeAs: наблюдение эффекта внутренних многократных андреевских отражений и определение параметров сверхпроводящего состояния
Abstract
Проведены исследования контактов на микротрещине (техника break-junction) типа SNS и S-N-S-N-...-S (где S - сверхпроводник, N - нормальный металл), созданных в поликристаллах сверхпроводника Sm1-xThxOFeAs с критическими температурами Tc=(34-45) K. В таких контактах наблюдались эффекты (внутренних) многократных андреевских отражений. С помощью спектроскопий, основанных на этих эффектах, было установлено наличие двух независимых параметров порядка и определены их величины. Теоретический анализ температурных зависимостей большой и малой щелей показал, что сверхпроводящие свойства Sm1-xThxOFeAs определяются в основном внутризонным взаимодействием, причем \sqrt{V_{11}V_{22}}/V_{12}\approx14 (где Vij - матричные элементы электрон-бозонного взаимодействия), а отношение N2/N1 плотностей состояний в зонах с малой и большой щелями, соответственно, составляет примерно порядок. Оценены "собственные" значения характеристических отношений БКШ в гипотетическом случае отсутствия межзонного взаимодействия (V_{i\neq j}=0) для каждого из конденсатов, 2\Delta_{L,S}/k_{\text{B}}T_c^{\text{L,S}}\leq4.5. Эти величины остаются постоянными в исследованном интервале критических температур и соответствуют случаю сильного внутризонного электрон-фононного взаимодействия.