Кинетика фотолюминесценции многопериодных структур GaAs/AlGaAs с асимметричными барьерами, перспективных для создания униполярных лазеров
Ю. А. Алещенко+*, В. В. Капаев+, М. В. Кочиев+, Ю. Г. Садофьев+, В. А. Цветков+
+Физический институт им. Лебедева РАН, 119991 Москва, Россия
*Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", 115409 Москва, Россия
Abstract
Исследована кинетика фотолюминесценции в многопериодных
структурах квантовых ям GaAs/AlGaAs с асимметричными по высоте
барьерами. За счет асимметрии барьеров достигнуто рекордно большое
для униполярных лазеров время безызлучательной рекомбинации между
лазерными подзонами (9 пс), которое превышает время
безызлучательной релаксации с нижней лазерной подзоны. Это обеспечивает
инверсную населенность в такой системе. Продемонстрировано
эффективное подавление паразитного каскадного перехода между
лазерными подзонами через состояния квазинепрерывного спектра.