Экситон-плазмонное взаимодействие в гибридных структурах квантовые точки-металлические кластеры, полученных методом МЛЭ
A. A. Лямкина, С. П. Мощенко, Д. В. Дмитриев, А. И. Торопов, Т. С. Шамирзаев
Институт физики полупроводников им. Ржанова СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия
Abstract
Исследованы гибридные структуры, состоящие из InAs/AlGaAs квантовых
точек и кластеров индия на поверхности, разделенных слоем диэлектрика
AlGaAs заданной толщины. Обнаружено усиление сигнала фотолюминесценции в
длинноволновой области, проявляющееся в виде узкого пика, который отсутствует
в контрольной структуре с ансамблем квантовых точек без кластеров металла и
пропадает при увеличении толщины диэлектрика между слоями. Полученные
результаты объясняются в рамках модели резонансного взаимодействия экситонов
в квантовых точках с локализованными поверхностными плазмонами в кластерах
металла.