Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
   Volumes 113-120
   Volumes 93-112
      Volume 112
      Volume 111
      Volume 110
      Volume 109
      Volume 108
      Volume 107
      Volume 106
      Volume 105
      Volume 104
      Volume 103
      Volume 102
      Volume 101
      Volume 100
      Volume 99
      Volume 98
      Volume 97
      Volume 96
      Volume 95
      Volume 94
      Volume 93
Search
VOLUME 99 (2014) | ISSUE 5 | PAGE 333
Терагерцовый электронный транспорт двумерного топологического изолятора в HgTe квантовой яме
Abstract
Изучен терагерцовый отклик двумерного топологического изолятора в HgTe квантовой яме при воздействии излучения с длиной волны 118 и 184 мкм. Обнаружено, что его фотопроводимость (ФП) составляет значительную величину (до нескольких процентов от темновой проводимости) и существует как в локальном, так и в нелокальном отклике системы. Этот факт доказывает, что обнаруженная ФП обусловлена изменением транспорта по краевым токовым состояниям. Знак и нерезонансный характер ФП показывают, что она связана с электронным разогревом системы. Проведенный анализ позволяет предположить, что источником такого разогрева является друдевское поглощение терагерцового излучения возникающими из-за флуктуаций примесного потенциала и щели металлическими "каплями", расположенными в непосредственной близости от краевых состояний.