Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
   Volumes 113-119
   Volumes 93-112
      Volume 112
      Volume 111
      Volume 110
      Volume 109
      Volume 108
      Volume 107
      Volume 106
      Volume 105
      Volume 104
      Volume 103
      Volume 102
      Volume 101
      Volume 100
      Volume 99
      Volume 98
      Volume 97
      Volume 96
      Volume 95
      Volume 94
      Volume 93
Search
VOLUME 99 (2014) | ISSUE 6 | PAGE 378
Сдвиг порога фотоэмиссии в полупроводниках A3B5 и A2B6
DOI: 10.7868/S0370274X14060058
Abstract
В работе исследованы причины, по которым пороговая энергия фотоэмиссии полупроводников меньше энергии ионизации атомов, составляющих полупроводник. Отмечено, что предложенная ранее интерпретация этого феномена, основанная на учете дополнительного внутриатомного кулоновского взаимодействия валентных электронов, недостаточна для его объяснения. Показано, что при расчете энергетической электронной структуры полупроводников, в частности порога фотоэмиссии, необходимо учитывать изменение области локализации валентных электронов при встраивании изолированного атома в кристалл. Продемонстрирован способ учета этого изменения в рамках метода сильной связи. Найдены поправки к гамильтониану сильной связи. Рассчитаны величины порогов фотоэмиссии полупроводников A3B5 и A2B6 с учетом этих поправок. Проведено сравнение полученных результатов с экспериментальными данными.