Анизотропия длинноволновых оптических фононов в сверхрешетках GaAs/AlAs
В. А. Володин+*, М. П. Синюков+
+Институт физики полупроводников им. Ржанова СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия
*Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия
Abstract
Методом спектроскопии комбинационного рассеяния света исследована
угловая анизотропия оптических фононов в сверхрешетках GaAs/AlAs (001).
При этом применялись геометрии рассеяния, разрешенные для фононов с волновым вектором,
направленным по нормали к сверхрешетке и вдоль ее слоев. Экспериментально
подтверждено теоретически предсказанное смешивание локализованных в слоях GaAs
продольных мод LO1 с поперечными модами TO1, в которых атомы смещаются по
нормали к сверхрешетке. Эти моды обладают заметной угловой анизотропией. Угловая
анизотропия поперечных мод, в которых атомы смещаются в плоскости сверхрешетки,
мала.