Оптические свойства эпитаксиальной пленки силицида железа Fe3Si/Si(111)
И. А. Тарасов+*, З. И. Попов+*, С. Н. Варнаков+*, М. С. Молокеев+, А. С. Федоров+, И. А. Яковлев+, Д. А. Федоров+, С. Г. Овчинников+*
+Институт физики им. Киренского СО РАН, 660036 Красноярск, Россия
*Сибирский государственный аэрокосмический университет им. Решетнева, 660014 Красноярск, Россия
Abstract
Методом спектральной эллипсометрии измерена дисперсия диэлектрической
проницаемости эпитаксиальной пленки силицида железа
Fe3Si толщиной 27 нм в области
энергий E=(1.16-4.96) эВ.
Результаты сравниваются с дисперсией диэлектрической
проницаемости, вычисленной в рамках метода функционала плотности
с аппроксимацией GGA-PBE. Рассчитаны электронная структура Fe3Si и
плотность электронных состояний (DOS).
Анализ частот теоретически рассчитанных оптических переходов между пиками DOS дает
качественное согласие с экспериментально измеренными пиками поглощения. Анализ данных
одноволновой лазерной эллипсометрии, полученных в процессе синтеза
пленки, показывает, что
формирование сплошного слоя пленки силицида железа Fe3Si происходит при достижении ее
толщиной в 5 нм.