Анализ структуры и магнитных свойств интерфейса в многослойных наноструктурах (Fe/Si)N с применением поверхностно-чувствительного метода XMCD
М. С. Платунов+*×, С. Н. Варнаков+×, С. М. Жарков+*, Г. В. Бондаренко+, О. Вешке °, Э. Шиерле °, С. Г. Овчинников+*×
+Институт физики им. Киренского СО РАН, 660036 Красноярск, Россия
*Сибирский федеральный университет, 660041 Красноярск, Россия
×Сибирский государственный аэрокосмический университет им. Решетнева, 660014 Красноярск, Россия
°BESSY II, Helmholtz-Zentrum Berlin, 12489 Berlin, Germany
Abstract
Представлены результаты исследования структурных и магнитных
свойств наноструктур (Fe/Si)N, полученных при последовательном напылении
на поверхность SiO2/Si(100) при температуре подложки 300 K. Измерения
методом просвечивающей электронной микроскопии позволили определить толщины
всех слоев Fe и Si. Магнитные свойства исследованы методом рентгеновского
магнитного кругового дихроизма (XMCD) вблизи L3,2-краев
поглощения Fe. Разделены орбитальный (ml) и спиновый
(mS) вклады в полный магнитный момент железа. С использованием
поверхностной чувствительности метода XMCD и модели интерфейса из немагнитной
и ослабленной магнитной фаз, определены толщины магнитного и немагнитного
силицида Fe на интерфейсах Si/Fe и Fe/Si.