Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
   Volumes 113-120
   Volumes 93-112
      Volume 112
      Volume 111
      Volume 110
      Volume 109
      Volume 108
      Volume 107
      Volume 106
      Volume 105
      Volume 104
      Volume 103
      Volume 102
      Volume 101
      Volume 100
      Volume 99
      Volume 98
      Volume 97
      Volume 96
      Volume 95
      Volume 94
      Volume 93
Search
VOLUME 99 (2014) | ISSUE 12 | PAGE 824
Влияние ближнего поля на спектр поглощения примесей в кристаллах
DOI: 10.7868/S0370274X1412008X
Abstract
В работе рассмотрено влияние ближнепольного взаимодействия мелких доноров в GaAs на спектр внутрицентрового примесного поглощения. Показано, что ближнепольное взаимодействие приводит к уширению линии поглощения, которое увеличивается с ростом концентрации доноров. Форма линии поглощения перестает быть лоренцевой: ее коротковолновое крыло становится более протяженным по сравнению с длинноволновым крылом.