Органический светоизлучающий диод на основе плоского слоя полупроводниковых нанопластинок CdSe в качестве эмиттера
А. А. Ващенко+, А. Г. Витухновский+, В. С. Лебедев+*, А. С. Селюков+, Р. Б. Васильев×, М. С. Соколикова×
+Физический институт им. Лебедева РАН, 119991 Москва, Россия
*Московский физико-технический институт (государственный университет), 141700 Долгопрудный, Россия
×Московский государственный университет им. Ломоносова, 119992 Москва, Россия
Abstract
Проведен синтез полупроводниковых коллоидных нанопластинок CdSe с характерным
продольным размером 20-70 нм и толщиной в несколько атомных слоев. Исследованы
спектры и кинетика фотолюминесценции таких квазидвумерных наноструктур
(квантовых ям) при комнатных и криогенных температурах. С использованием
органических материалов TAZ и TPD, составляющих, соответственно, электронный и
дырочный транспортные слои, разработан гибридный светоизлучающий диод,
который функционирует на основе синтезированных в работе однокомпонентных
нанопластинок в качестве плоского активного "излучающего" элемента
(эмиттера). Получены спектральные и электрофизические характеристики созданного
устройства с длиной волны излучения λ=515 нм. Использование подобного
типа квазидвумерных наноструктур (нанопластинок) является перспективным для
создания гибридных светодиодов с чистым цветом.