Двунаправленный фототок дырок в слоях квантовых точек Ge/Si
А. И. Якимов+*, В. В. Кириенко+, В. А. Тимофеев+, А. В. Двуреченский+
+Институт физики полупроводников им. Ржанова СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия
*Национальный исследовательский томский государственный университет, 634050 Томск, Россия
Abstract
Изучены спектры фототока дырок в δ-легированных слоях Si
с квантовыми точками Ge в слабых внешних электрических полях. Установлено, что с
увеличением концентрации примеси в δ-слоях фототок дырок в
фотовольтаическом режиме меняет свой знак. Обнаружено, что существует
диапазон напряжений в окрестности нулевого смещения, в котором направление
фототока определяется длиной волны возбуждающего его излучения.