Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
   Volumes 113-119
   Volumes 93-112
      Volume 112
      Volume 111
      Volume 110
      Volume 109
      Volume 108
      Volume 107
      Volume 106
      Volume 105
      Volume 104
      Volume 103
      Volume 102
      Volume 101
      Volume 100
      Volume 99
      Volume 98
      Volume 97
      Volume 96
      Volume 95
      Volume 94
      Volume 93
Search
VOLUME 100 (2014) | ISSUE 2 | PAGE 111
Интерфейсные вклады в параметры спин-орбитального взаимодействия для электронов на интерфейсе (001) GaAs/AlGaAs
DOI: 10.7868/S0370274X14140070
Abstract
Теоретически и экспериментально исследованы одночастичные механизмы спинового расщепления энергетического спектра 2D-электронов в односторонне легированной квантовой яме на основе (001) GaAs/AlxGa1-xAs. Показано, что интерфейсное спин-орбитальное взаимодействие заметно компенсирует (усиливает) вклад объемных механизмов Дрессельхауза (Бычкова-Рашбы). Теоретический подход основан на решении уравнения эффективной массы в квазитреугольной яме, дополненного новым граничным условием на высоком и атомарно резком гетеробарьере. Модель учитывает спин-орбитальное взаимодействие электронов как с объемным, так и с гетероинтерфейсным кристаллическим потенциалом симметрии C2v, а также отсутствие центра инверсии и непараболичность зоны проводимости в GaAs. Выведен эффективный 2D спиновый гамильтониан, содержащий как объемные, так и интерфейсные вклады в константы Дрессельхауза (αBIA) и Рашбы (αSIA). Найдена аналитическая связь между этими константами и компонентами анизотропного и нелинейного тензора g-фактора в наклонном квантующем магнитном поле. Экспериментальный подход основан на детектировании электронного спинового резонанса в микроволновом диапазоне, с одной стороны, и фотолюминесцентных измерениях параметра непараболичности, с другой. Из сравнения с теорией извлечены интерфейсные вклады в αBIA, αSIA.