Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
   Volumes 113-120
   Volumes 93-112
      Volume 112
      Volume 111
      Volume 110
      Volume 109
      Volume 108
      Volume 107
      Volume 106
      Volume 105
      Volume 104
      Volume 103
      Volume 102
      Volume 101
      Volume 100
      Volume 99
      Volume 98
      Volume 97
      Volume 96
      Volume 95
      Volume 94
      Volume 93
Search
VOLUME 100 (2014) | ISSUE 3 | PAGE 175
Эмиссия фотовозбужденных носителей из квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией
Abstract
Предложена модель процесса эмиссии фотовозбужденных электронов и дырок из массива квантовых точек InAs в матрицу GaAs. Для эффективности эмиссии получено аналитическое выражение, учитывающее термическую эмиссию носителей в матрицу GaAs и в 2D-состояния смачивающего слоя InAs, туннельную и термоактивированную туннельную эмиссию, а также электронный обмен между уровнями размерного квантования в зоне проводимости InAs. Экспериментально исследованы температурные зависимости фоточувствительности в области основного и первого возбужденного оптических переходов в квантовых точках InAs/GaAs, выращенных методом газофазной эпитаксии. Определен ряд параметров квантовых точек, при которых наблюдается хорошее согласие экспериментальных данных и результатов теоретического расчета.