Home
| VOLUME 100 (2014) | ISSUE 3 | PAGE 175 |
|---|
|
Эмиссия фотовозбужденных носителей из квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией
Н. С. Волкова, А. П. Горшков, Д. О. Филатов+, Д. С. Абрамкин*
Нижегородский государственный университет им. Лобачевского, 603950 Н.Новгород, Россия +Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Лобачевского, 603950 Н.Новгород, Россия *Институт физики полупроводников им. Ржанова СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия
Abstract
Предложена модель процесса эмиссии фотовозбужденных электронов и дырок из массива квантовых точек InAs в матрицу GaAs. Для эффективности эмиссии получено аналитическое выражение, учитывающее термическую эмиссию носителей в матрицу GaAs и в 2D-состояния смачивающего слоя InAs, туннельную и термоактивированную туннельную эмиссию, а также электронный обмен между уровнями размерного квантования в зоне проводимости InAs. Экспериментально исследованы температурные зависимости фоточувствительности в области основного и первого возбужденного оптических переходов в квантовых точках InAs/GaAs, выращенных методом газофазной эпитаксии. Определен ряд параметров квантовых точек, при которых наблюдается хорошее согласие экспериментальных данных и результатов теоретического расчета. |